環(huán)境試驗目的：考核在不施加電應力的情況下，高溫存儲對產品的影響。有嚴重缺陷的產品處于非平衡態(tài)，是一種不穩(wěn)定態(tài)，由非平衡態(tài)向平衡態(tài)的過渡過程既是誘發(fā)有嚴重缺陷產品失效的過程，也是促使產品從非穩(wěn)定態(tài)向穩(wěn)定態(tài)的過渡過程。

這種過渡一般情況下是物理化學變化，其速率遵循阿倫尼烏斯公式，隨溫度成指數(shù)增加.高溫應力的目的是為了縮短這種變化的時間，該實驗又可以視為一項穩(wěn)定產品性能的工藝。

環(huán)境試驗條件：一般選定一恒定的溫度應力和保持時間。微電路溫度應力范圍為75℃至400℃，試驗時間為24h以上。試驗前后被試樣品要在標準試驗環(huán)境中，既溫度為25土10℃、氣壓為86kPa~100kPa的環(huán)境中放置一定時間。多數(shù)的情況下，要求試驗后在規(guī)定的時間內完成終點測試。